О модели
Описание
IXYS IXTQ200N10T — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 200 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO3P.
Время готовности — 76нс; Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 5,5мОм; Рассеиваемая мощность — 550Вт.
Полярность — полевой; Характеристики полупроводниковых элементов — thrench gate power mosfet; Заряд затвора — 152нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IXTQ200N10T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 200 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO3P
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTQ200N10T
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
