IXYS · Полупроводники

IXYS IXTP26P10T — Транзисторы с каналом P THT

MPN / артикул: IXTP26P10T

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -100В; -26А; 150Вт; 70нс

Производитель автоматикиIXYS
АртикулIXTP26P10T
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: THT · Корпус: TO220AB · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P THT

Фото товара

IXYS IXTP26P10T — Транзисторы с каналом P THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

IXYS IXTP26P10T. Категория: «Транзисторы с каналом P THT».

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220AB; Время готовности — 70нс; Напряжение сток-исток — -100В.

Ток стока — -26А; Сопротивление в открытом состоянии — 90мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 150Вт.

Полярность — полевой; Заряд затвора — 52нC; Технология — TrenchP™; Вид канала — обогащенный.

Напряжение затвор-исток — ±15В.

Перед заказом проверьте артикул IXTP26P10T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
THT
Корпус
TO220AB
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
IXTP26P10T
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.