IXYS
· Полупроводники
IXYS IXTP08N120P — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IXTP08N120P
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 0,8А; 50Вт; TO220AB; 900нс
Ток стока: 0,8 А · Монтаж: THT · Корпус: TO220AB · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXTP08N120P — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,8 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO220AB.
Время готовности — 900нс; Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 25Ом; Рассеиваемая мощность — 50Вт.
Полярность — полевой; Характеристики полупроводниковых элементов — standard power mosfet; Заряд затвора — 14нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IXTP08N120P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,8 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO220AB
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTP08N120P
Материалы
Документация
Техническое описание: IXT 08N120PEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
