IXYS IXTN200N10L2 — Транзисторные модули
Модуль; одиночный транзистор; 100В; 178А; SOT227B; винтами; 830Вт
Ток стока: 178 А · Корпус: SOT227B · Тип товара: Транзисторные модули
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноОписание
IXYS IXTN200N10L2. Категория: «Транзисторные модули».
Корпус — SOT227B; Конструкция диода — одиночный транзистор; Время готовности — 245нс; Напряжение сток-исток — 100В.
Ток стока — 178 А; Сопротивление в открытом состоянии — 11мОм; Рассеиваемая мощность — 830Вт; Полярность — полевой.
Электрический монтаж — винтами; Механический монтаж — винтами; Заряд затвора — 540нC; Технология — Linear L2™.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 500А; Тип полупроводникового модуля — MOSFET транзистор.
Технические характеристики
- Ток стока
- 178 А
- Корпус
- SOT227B
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTN200N10L2
Документация
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
