О модели
Описание
IXYS IXTN110N20L2. Категория: «Транзисторные модули».
Корпус — SOT227B; Конструкция диода — одиночный транзистор; Время готовности — 420нс; Напряжение сток-исток — 200В.
Ток стока — 100 А; Сопротивление в открытом состоянии — 24мОм; Рассеиваемая мощность — 735Вт; Полярность — полевой.
Электрический монтаж — винтами; Механический монтаж — винтами; Заряд затвора — 500нC; Технология — Linear L2™.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 275А; Тип полупроводникового модуля — MOSFET транзистор.
Перед заказом проверьте артикул IXTN110N20L2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 100 А
- Корпус
- SOT227B
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTN110N20L2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
