IXYS
· Полупроводники
IXYS IXTF6N200P3 — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IXTF6N200P3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 2кВ; 4А; 215Вт; 520нс
Ток стока: 4 А · Монтаж: THT · Корпус: ISOPLUS i4-pacTM x024c · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
О модели
Описание
IXYS IXTF6N200P3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 4 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — ISOPLUS i4-pac™ x024c.
Время готовности — 520нс; Напряжение сток-исток — 2кВ; Рассеиваемая мощность — 215Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — standard power mosfet; Заряд затвора — 143нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IXTF6N200P3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 4 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- ISOPLUS i4-pacTM x024c
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTF6N200P3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
