IXYS
· Полупроводники
IXYS IXTF200N10T — Транзисторы с каналом N THT
MPN / артикул: IXTF200N10T
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 90А; 156Вт; 76нс
Ток стока: 90 А · Монтаж: THT · Корпус: ISOPLUS i4-pacTM x024d · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXTF200N10T — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 90 А.
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — ISOPLUS i4-pac™ x024d.
Время готовности — 76нс; Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 7мОм; Рассеиваемая мощность — 156Вт.
Полярность — полевой; Характеристики полупроводниковых элементов — thrench gate power mosfet; Заряд затвора — 152нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IXTF200N10T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 90 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- ISOPLUS i4-pacTM x024d
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTF200N10T
Материалы
Документация
Техническое описание: IXTF200N10TEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
