IXYS · Полупроводники

IXYS IXTA96P085T — Транзисторы с каналом P SMD

MPN / артикул: IXTA96P085T

Транзистор: P-MOSFET; TrenchP™; полевой; -85В; -96А; 298Вт; TO263

Производитель автоматикиIXYS
АртикулIXTA96P085T
РазделПолупроводники
Единицашт

Монтаж: SMD · Корпус: TO263 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P SMD

Фото товара

IXYS IXTA96P085T — Транзисторы с каналом P SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

IXYS IXTA96P085T. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263; Время готовности — 55нс; Напряжение сток-исток — -85В.

Ток стока — -96А; Сопротивление в открытом состоянии — 13мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 298Вт.

Полярность — полевой; Заряд затвора — 180нC; Технология — TrenchP™; Вид канала — обогащенный.

Напряжение затвор-исток — ±15В.

Перед заказом проверьте артикул IXTA96P085T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Тип транзистора
P-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
IXTA96P085T
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.