О модели
Описание
IXYS IXTA76P10T. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263; Время готовности — 70нс; Напряжение сток-исток — -100В.
Ток стока — -76А; Сопротивление в открытом состоянии — 25мОм; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 298Вт.
Полярность — полевой; Заряд затвора — 197нC; Технология — TrenchP™; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±15В.
Перед заказом проверьте артикул IXTA76P10T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTA76P10T
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
