О модели
Описание
IXYS IXTA4N80P — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3,6 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263.
Время готовности — 560нс; Напряжение сток-исток — 800В; Сопротивление в открытом состоянии — 3,4Ом; Рассеиваемая мощность — 100Вт.
Полярность — полевой; Характеристики полупроводниковых элементов — standard power mosfet; Заряд затвора — 14,2нC; Технология — PolarHV™.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 8А.
Перед заказом проверьте артикул IXTA4N80P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3,6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTA4N80P
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
