IXYS
· Полупроводники
IXYS IXTA3N100P — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IXTA3N100P
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 3А; 125Вт; TO263; 820нс
Ток стока: 3 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXTA3N100P — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 3 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263.
Время готовности — 820нс; Напряжение сток-исток — 1кВ; Рассеиваемая мощность — 125Вт; Полярность — полевой.
Характеристики полупроводниковых элементов — standard power mosfet; Заряд затвора — 36нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IXTA3N100P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 3 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTA3N100P
Материалы
Документация
Техническое описание: IXTA(H,P)3N100PEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
