О модели
Описание
IXYS IXTA32P20T. Категория: «Транзисторы с каналом P SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263; Время готовности — 190нс; Напряжение сток-исток — -200В.
Ток стока — -32А; Сопротивление в открытом состоянии — 0,13Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 300Вт.
Полярность — полевой; Заряд затвора — 185нC; Технология — TrenchP™; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±15В.
Перед заказом проверьте артикул IXTA32P20T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTA32P20T
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
