О модели
Описание
IXYS IXTA2R4N120P — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 2,4 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D2PAK; TO263AB.
Время готовности — 920нс; Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 7,5Ом; Рассеиваемая мощность — 125Вт.
Заряд затвора — 37нC; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — 20В.
Перед заказом проверьте артикул IXTA2R4N120P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 2,4 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D2PAK, TO263AB
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTA2R4N120P
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
