О модели
Описание
IXYS IXTA1R6N100D2HV — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 1,6 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263.
Время готовности — 970нс; Напряжение сток-исток — 1кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 10Ом; Рассеиваемая мощность — 100Вт.
Полярность — полевой; Заряд затвора — 27нC; Технология — Polar™; Вид канала — обедненный.
Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул IXTA1R6N100D2HV, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 1,6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTA1R6N100D2HV
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
