О модели
Описание
IXYS IXTA1R4N120P — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 1,4 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263.
Время готовности — 900нс; Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 13Ом; Рассеиваемая мощность — 86Вт.
Полярность — полевой; Характеристики полупроводниковых элементов — standard power mosfet; Заряд затвора — 24,8нC; Технология — Polar™.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 3А.
Перед заказом проверьте артикул IXTA1R4N120P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 1,4 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTA1R4N120P
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
