О модели
Описание
IXYS IXTA1N200P3HV — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 1 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263HV.
Время готовности — 2,3мкс; Напряжение сток-исток — 2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 40Ом; Рассеиваемая мощность — 125Вт.
Полярность — полевой; Характеристики полупроводниковых элементов — standard power mosfet; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IXTA1N200P3HV, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 1 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263HV
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTA1N200P3HV
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
