IXYS · Полупроводники

IXYS IXTA130N10T — Транзисторы с каналом N SMD

MPN / артикул: IXTA130N10T

Транзистор: N-MOSFET; TrenchMV™; полевой; 100В; 130А; Idm: 350А

Производитель автоматикиIXYS
АртикулIXTA130N10T
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток стока: 130 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD

Фото товара

IXYS IXTA130N10T — Транзисторы с каналом N SMD

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

IXYS IXTA130N10T — транзистор.

Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 130 А.

Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263.

Время готовности — 77нс; Напряжение сток-исток — 100В; Сопротивление в открытом состоянии — 9,1мОм; Рассеиваемая мощность — 360Вт.

Полярность — полевой; Заряд затвора — 104нC; Технология — TrenchMV™; Вид канала — обогащенный.

Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 350А.

Перед заказом проверьте артикул IXTA130N10T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток стока
130 А
Монтаж
SMD
Корпус
TO263
Тип транзистора
N-MOSFET
Единица продажи
шт
Артикул производителя
IXTA130N10T
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.