IXYS
· Полупроводники
IXYS IXTA06N120P — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IXTA06N120P
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1,2кВ; 0,6А; 42Вт; TO263; 900нс
Ток стока: 0,6 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXTA06N120P — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 0,6 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263.
Время готовности — 900нс; Напряжение сток-исток — 1,2кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 34Ом; Рассеиваемая мощность — 42Вт.
Полярность — полевой; Характеристики полупроводниковых элементов — standard power mosfet; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IXTA06N120P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 0,6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXTA06N120P
Материалы
Документация
Техническое описание: IXTA(P)06N120PEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
