О модели
Описание
IXYS IXKN75N60C. Категория: «Транзисторные модули».
Корпус — SOT227B; Конструкция диода — одиночный транзистор; Время готовности — 580нс; Напряжение сток-исток — 600В.
Ток стока — 50 А; Сопротивление в открытом состоянии — 36мОм; Рассеиваемая мощность — 560Вт; Полярность — полевой.
Электрический монтаж — винтами; Механический монтаж — винтами; Заряд затвора — 500нC; Технология — CoolMOS™.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В; Ток стока в импульсном режиме — 250А; Тип полупроводникового модуля — MOSFET транзистор.
Перед заказом проверьте артикул IXKN75N60C, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 50 А
- Корпус
- SOT227B
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXKN75N60C
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
