IXYS
· Полупроводники
IXYS IXGT6N170A — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: IXGT6N170A
Транзистор: IGBT; NPT; 1,7кВ; 3А; 75Вт; TO268
Ток коллектора: 3 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO268 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXGT6N170A. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,7кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 3 А; Ток коллектора в импульсе — 14А; Время включения — 91нс; Время выключения — 271нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 75Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — высоковольтный; Заряд затвора — 18,5нC.
Технология — NPT.
Перед заказом проверьте артикул IXGT6N170A, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 3 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXGT6N170A
Материалы
Документация
Техническое описание: IXGh(T)6N170AEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
