О модели
Описание
IXYS IXGT32N170. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,7кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 32 А; Ток коллектора в импульсе — 200А; Время включения — 90нс; Время выключения — 920нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 350Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — высоковольтный; Заряд затвора — 155нC.
Технология — NPT.
Перед заказом проверьте артикул IXGT32N170, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 32 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXGT32N170
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
