О модели
Описание
IXYS IXGT32N120A3. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 32 А; Ток коллектора в импульсе — 230А; Время включения — 239нс; Время выключения — 1,38с.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 300Вт; Заряд затвора — 89нC; Технология — GenX3™; PT.
Перед заказом проверьте артикул IXGT32N120A3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 32 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXGT32N120A3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
