О модели
Описание
IXYS IXGT25N160. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,6кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 25 А; Ток коллектора в импульсе — 200А; Время включения — 283нс; Время выключения — 526нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 300Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — высоковольтный; Заряд затвора — 84нC.
Технология — NPT.
Перед заказом проверьте артикул IXGT25N160, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 25 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXGT25N160
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
