О модели
Описание
IXYS IXGN50N120C3H1. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — SOT227B; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — одиночный транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 50 А; Ток коллектора в импульсе — 240А; Рассеиваемая мощность — 460Вт; Электрический монтаж — винтами.
Механический монтаж — винтами; Технология — GenX3™; PT; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул IXGN50N120C3H1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 50 А
- Корпус
- SOT227B
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXGN50N120C3H1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
