О модели
Описание
IXYS IXGN200N170. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — SOT227B; Максимальное обратное напряжение — 1700 В; Конструкция диода — одиночный транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 160 А; Ток коллектора в импульсе — 1,05кА; Рассеиваемая мощность — 1,25кВт; Электрический монтаж — винтами.
Механический монтаж — винтами; Технология — NPT; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул IXGN200N170, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 160 А
- Корпус
- SOT227B
- Максимальное обратное напряжение
- 1700 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXGN200N170
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
