О модели
Описание
IXYS IXGK82N120B3. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO264; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,2кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 82 А; Ток коллектора в импульсе — 500А; Время включения — 112нс; Время выключения — 760нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 1,25кВт; Заряд затвора — 0,35мкC; Технология — GenX3™; PT.
Перед заказом проверьте артикул IXGK82N120B3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 82 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO264
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXGK82N120B3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
