О модели
Описание
IXYS IXFY4N60P3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 4 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO252.
Время готовности — 250нс; Напряжение сток-исток — 600В; Сопротивление в открытом состоянии — 2,4Ом; Рассеиваемая мощность — 114Вт.
Полярность — полевой; Заряд затвора — 6,9нC; Технология — HiPerFET™; Polar3™; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 8А.
Перед заказом проверьте артикул IXFY4N60P3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 4 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO252
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXFY4N60P3
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
