О модели
Описание
IXYS IXFT20N100P — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 20 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268.
Время готовности — 300нс; Напряжение сток-исток — 1кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 570мОм; Рассеиваемая мощность — 660Вт.
Полярность — полевой; Заряд затвора — 126нC; Технология — HiPerFET™; Polar™; Вид канала — обогащенный.
Напряжение затвор-исток — ±30В.
Перед заказом проверьте артикул IXFT20N100P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 20 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXFT20N100P
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
