IXYS
· Полупроводники
IXYS IXFT18N100Q3 — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IXFT18N100Q3
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 1кВ; 18А; 830Вт; TO268
Ток стока: 18 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO268 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXFT18N100Q3 — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 18 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268.
Напряжение сток-исток — 1кВ; Сопротивление в открытом состоянии — 0,66Ом; Рассеиваемая мощность — 830Вт; Полярность — полевой.
Заряд затвора — 90нC; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IXFT18N100Q3, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 18 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXFT18N100Q3
Материалы
Документация
Техническое описание: IXFH(T)18N100Q3EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
