О модели
Описание
IXYS IXFN520N075T2. Категория: «Транзисторные модули».
Корпус — SOT227B; Конструкция диода — одиночный транзистор; Время готовности — 150нс; Напряжение сток-исток — 75В.
Ток стока — 480 А; Сопротивление в открытом состоянии — 1,9мОм; Рассеиваемая мощность — 940Вт; Полярность — полевой.
Электрический монтаж — винтами; Механический монтаж — винтами; Заряд затвора — 545нC; Технология — GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 1,5кА; Тип полупроводникового модуля — MOSFET транзистор.
Перед заказом проверьте артикул IXFN520N075T2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 480 А
- Корпус
- SOT227B
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXFN520N075T2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
