О модели
Описание
IXYS IXFN360N10T. Категория: «Транзисторные модули».
Корпус — SOT227B; Конструкция диода — одиночный транзистор; Время готовности — 130нс; Напряжение сток-исток — 100В.
Ток стока — 360 А; Сопротивление в открытом состоянии — 2,6мОм; Рассеиваемая мощность — 830Вт; Полярность — полевой.
Электрический монтаж — винтами; Механический монтаж — винтами; Заряд затвора — 525нC; Технология — GigaMOS™; HiPerFET™.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 900А; Тип полупроводникового модуля — MOSFET транзистор.
Перед заказом проверьте артикул IXFN360N10T, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 360 А
- Корпус
- SOT227B
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXFN360N10T
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
