О модели
Описание
IXYS IXFN320N17T2. Категория: «Транзисторные модули».
Корпус — SOT227B; Конструкция диода — одиночный транзистор; Время готовности — 150нс; Напряжение сток-исток — 170В.
Ток стока — 260 А; Сопротивление в открытом состоянии — 5,2мОм; Рассеиваемая мощность — 1,07кВт; Полярность — полевой.
Электрический монтаж — винтами; Механический монтаж — винтами; Заряд затвора — 640нC; Технология — GigaMOS™; HiPerFET™; TrenchT2™.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 800А; Тип полупроводникового модуля — MOSFET транзистор.
Перед заказом проверьте артикул IXFN320N17T2, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 260 А
- Корпус
- SOT227B
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXFN320N17T2
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
