О модели
Описание
IXYS IXFN200N10P. Категория: «Транзисторные модули».
Корпус — SOT227B; Конструкция диода — одиночный транзистор; Время готовности — 150нс; Напряжение сток-исток — 100В.
Ток стока — 200 А; Сопротивление в открытом состоянии — 7,5мОм; Рассеиваемая мощность — 680Вт; Полярность — полевой.
Электрический монтаж — винтами; Механический монтаж — винтами; Заряд затвора — 235нC; Технология — HiPerFET™; Polar™.
Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±30В; Ток стока в импульсном режиме — 400А; Тип полупроводникового модуля — MOSFET транзистор.
Перед заказом проверьте артикул IXFN200N10P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 200 А
- Корпус
- SOT227B
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXFN200N10P
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
