IXYS
· Полупроводники
IXYS IXFA4N100P — Транзисторы с каналом N SMD
MPN / артикул: IXFA4N100P
Транзистор: N-MOSFET; Polar™; полевой; 1кВ; 4А; 150Вт; TO263
Ток стока: 4 А · Монтаж: SMD · Корпус: TO263 · Тип транзистора: N-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом N SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXFA4N100P — транзистор.
Тип транзистора — N-MOSFET; Ток стока — 4 А.
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO263.
Напряжение сток-исток — 1кВ; Рассеиваемая мощность — 150Вт; Полярность — полевой; Заряд затвора — 26нC.
Технология — HiPerFET™; Polar™; Вид канала — обогащенный.
Перед заказом проверьте артикул IXFA4N100P, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток стока
- 4 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO263
- Тип транзистора
- N-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXFA4N100P
Материалы
Документация
Техническое описание: IXFA(P)4N100PEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
