IXYS
· Полупроводники
IXYS IXDN75N120 — Модули IGBT
MPN / артикул: IXDN75N120
Модуль: IGBT; одиночный транзистор; Urmax: 1,2кВ; Ic: 150А; SOT227B
Ток коллектора: 150 А · Корпус: SOT227B · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXDN75N120. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — SOT227B; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — одиночный транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 150 А; Ток коллектора в импульсе — 190А; Рассеиваемая мощность — 660Вт; Электрический монтаж — винтами.
Механический монтаж — винтами; Технология — NPT; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул IXDN75N120, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 150 А
- Корпус
- SOT227B
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXDN75N120
Материалы
Документация
Техническое описание: IXDN75N120EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
