О модели
Описание
IXYS IXBX75N170. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PLUS247™; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,7кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 75 А; Ток коллектора в импульсе — 580А; Время включения — 277нс; Время выключения — 840нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 1,04кВт; Характеристики полупроводниковых элементов — высоковольтный; Заряд затвора — 0,35мкC.
Технология — BiMOSFET™; FRED.
Перед заказом проверьте артикул IXBX75N170, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 75 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- PLUS247TM
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXBX75N170
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
