IXYS
· Полупроводники
IXYS IXBX64N250 — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: IXBX64N250
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 2,5кВ; 64А; 735Вт; PLUS247™
Ток коллектора: 64 А · Монтаж: THT · Корпус: PLUS247TM · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXBX64N250. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PLUS247™; Напряжение коллектор-эмиттер — 2,5кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 64 А; Ток коллектора в импульсе — 600А; Время включения — 632нс; Время выключения — 397нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 735Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — высоковольтный; Заряд затвора — 400нC.
Технология — BiMOSFET™.
Перед заказом проверьте артикул IXBX64N250, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 64 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- PLUS247TM
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXBX64N250
Материалы
Документация
Техническое описание: IXBK(X)64N250EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
