IXYS
· Полупроводники
IXYS IXBT6N170 — Транзисторы IGBT SMD
MPN / артикул: IXBT6N170
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; D3PAK
Ток коллектора: 6 А · Монтаж: SMD · Корпус: D3PAK · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT SMD
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXBT6N170. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — D3PAK; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,7кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 6 А; Ток коллектора в импульсе — 36А; Время включения — 104нс; Время выключения — 700нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 75Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — высоковольтный; Заряд затвора — 17нC.
Технология — BiMOSFET™; FRED.
Перед заказом проверьте артикул IXBT6N170, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 6 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- D3PAK
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXBT6N170
Материалы
Документация
Техническое описание: IXBH6N170 IXBT6N170EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
