О модели
Описание
IXYS IXBT42N170A. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,7кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 21 А; Ток коллектора в импульсе — 265А; Время включения — 33нс; Время выключения — 308нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 357Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — высоковольтный; Заряд затвора — 188нC.
Технология — BiMOSFET™.
Перед заказом проверьте артикул IXBT42N170A, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 21 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXBT42N170A
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
