О модели
Описание
IXYS IXBT10N170. Категория: «Транзисторы IGBT SMD».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TO268; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,7кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 10 А; Ток коллектора в импульсе — 40А; Время включения — 63нс; Время выключения — 1,8мкс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 140Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — высоковольтный; Заряд затвора — 30нC.
Технология — BiMOSFET™.
Перед заказом проверьте артикул IXBT10N170, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 10 А
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TO268
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXBT10N170
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
