О модели
Описание
IXYS IXBN75N170. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — SOT227B; Максимальное обратное напряжение — 1700 В; Конструкция диода — одиночный транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 75 А; Ток коллектора в импульсе — 680А; Рассеиваемая мощность — 625Вт; Электрический монтаж — винтами.
Механический монтаж — винтами; Характеристики полупроводниковых элементов — высоковольтный; Технология — BiMOSFET™; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул IXBN75N170, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 75 А
- Корпус
- SOT227B
- Максимальное обратное напряжение
- 1700 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXBN75N170
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
