IXYS
· Полупроводники
IXYS IXBH6N170 — Транзисторы IGBT THT
MPN / артикул: IXBH6N170
Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 6А; 75Вт; TO247-3
Ток коллектора: 6 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXBH6N170. Категория: «Транзисторы IGBT THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,7кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 6 А; Ток коллектора в импульсе — 36А; Время включения — 104нс; Время выключения — 700нс.
Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 75Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — высоковольтный; Заряд затвора — 17нC.
Технология — BiMOSFET™.
Перед заказом проверьте артикул IXBH6N170, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 6 А
- Монтаж
- THT
- Корпус
- TO247-3
- Тип транзистора
- IGBT
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXBH6N170
Материалы
Документация
Техническое описание: IXBH6N170 IXBT6N170EN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
