IXYS · Полупроводники

IXYS IXBH10N170 — Транзисторы IGBT THT

MPN / артикул: IXBH10N170

Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 1,7кВ; 10А; 140Вт; TO247-3

Производитель автоматикиIXYS
АртикулIXBH10N170
РазделПолупроводники
Единицашт

Ток коллектора: 10 А · Монтаж: THT · Корпус: TO247-3 · Тип транзистора: IGBT · Тип товара: Транзисторы IGBT THT

Фото товара

IXYS IXBH10N170 — Транзисторы IGBT THT

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.

О модели

Описание

IXYS IXBH10N170. Категория: «Транзисторы IGBT THT».

Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — TO247-3; Напряжение коллектор-эмиттер — 1,7кВ; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.

Ток коллектора — 10 А; Ток коллектора в импульсе — 40А; Время включения — 63нс; Время выключения — 1,8мкс.

Тип транзистора — IGBT; Рассеиваемая мощность — 140Вт; Характеристики полупроводниковых элементов — высоковольтный; Заряд затвора — 30нC.

Технология — BiMOSFET™.

Перед заказом проверьте артикул IXBH10N170, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Ток коллектора
10 А
Монтаж
THT
Корпус
TO247-3
Тип транзистора
IGBT
Единица продажи
шт
Артикул производителя
IXBH10N170
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.