IXYS
· Полупроводники
IXYS IXA30RG1200DHGLB — Модули IGBT
MPN / артикул: IXA30RG1200DHGLB
Модуль: IGBT; диод/транзистор; boost chopper; Urmax: 1,2кВ; Ic: 30А
Ток коллектора: 30 А · Корпус: SMPD-B · Максимальное обратное напряжение: 1200 В · Тип товара: Модули IGBT
Документация для оборудования1 материалов; язык и редакция указаны отдельноО модели
Описание
IXYS IXA30RG1200DHGLB. Категория: «Модули IGBT».
Корпус — SMPD-B; Максимальное обратное напряжение — 1200 В; Конструкция диода — диод/транзистор; Напряжение затвор - эмиттер — ±20В.
Ток коллектора — 30 А; Ток коллектора в импульсе — 75А; Рассеиваемая мощность — 147Вт; Электрический монтаж — SMT.
Технология — ISOPLUS™; Sonic FRD™; Топология — boost chopper; Тип полупроводникового модуля — IGBT.
Перед заказом проверьте артикул IXA30RG1200DHGLB, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Ток коллектора
- 30 А
- Корпус
- SMPD-B
- Максимальное обратное напряжение
- 1200 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IXA30RG1200DHGLB
Материалы
Документация
Техническое описание: SMPD MOSFET and IGBTs Product BriefEN · PDF на prom-elec.com
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
