ISSI
· Интегральные микросхемы
ISSI IS66WVS1M8BLL-104NLI — Памяти SRAM последовательные
MPN / артикул: IS66WVS1M8BLL-104NLI
IC: память SRAM; 8МбSRAM; 1Mx8бит; 3В; SO8; -40÷85°C; лоток,туба
Тип микросхемы: память SRAM · Монтаж: SMD · Корпус: SO8 · Тип товара: Памяти SRAM последовательные · Рабочее напряжение: 3 В
О модели
Описание
ISSI IS66WVS1M8BLL-104NLI. Категория: «Памяти SRAM последовательные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...85°C; Корпус — SO8; Рабочее напряжение — 3 В.
Тип микросхемы — память SRAM; Вид памяти — SRAM; Структура памяти — 1Mx8бит; Виды интерфейса — последовательный.
Память — 8Мб SRAM.
Перед заказом проверьте артикул IS66WVS1M8BLL-104NLI, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память SRAM
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- SO8
- Рабочее напряжение
- 3 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IS66WVS1M8BLL-104NLI
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
