ISSI
· Интегральные микросхемы
ISSI IS62WV51216BLL-55TLI — Памяти SRAM параллельные
MPN / артикул: IS62WV51216BLL-55TLI
IC: память SRAM; 8МбSRAM; 512Кx16бит; 3,3В; 55нс; TSOP44
Тип микросхемы: память SRAM · Монтаж: SMD · Корпус: TSOP44 · Тип товара: Памяти SRAM параллельные · Рабочее напряжение: 3,3 В
О модели
Описание
ISSI IS62WV51216BLL-55TLI. Категория: «Памяти SRAM параллельные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Корпус — TSOP44; Рабочее напряжение — 3,3 В; Тип микросхемы — память SRAM.
Вид памяти — SRAM; Структура памяти — 512Кx16бит; Время доступа — 55нс; Виды интерфейса — параллельный.
Память — 8Мб SRAM.
Перед заказом проверьте артикул IS62WV51216BLL-55TLI, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память SRAM
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TSOP44
- Рабочее напряжение
- 3,3 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IS62WV51216BLL-55TLI
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
