ISSI
· Интегральные микросхемы
ISSI IS61WV3216DBLL-10TLI — Памяти SRAM параллельные
MPN / артикул: IS61WV3216DBLL-10TLI
IC: память SRAM; 512кбSRAM; 32Кx18бит; 2,4÷3,6В; 10нс; TSOP44 II
Тип микросхемы: память SRAM · Монтаж: SMD · Корпус: TSOP44 II · Тип товара: Памяти SRAM параллельные
О модели
Описание
ISSI IS61WV3216DBLL-10TLI. Категория: «Памяти SRAM параллельные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...85°C; Корпус — TSOP44 II; Рабочее напряжение — 2,4...3,6В.
Тип микросхемы — память SRAM; Вид памяти — SRAM; Структура памяти — 32Кx18бит; Время доступа — 10нс.
Виды интерфейса — параллельный; Память — 512кб SRAM.
Перед заказом проверьте артикул IS61WV3216DBLL-10TLI, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память SRAM
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TSOP44 II
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IS61WV3216DBLL-10TLI
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
