ISSI
· Интегральные микросхемы
ISSI IS61LV12824-10TQLI — Памяти SRAM параллельные
MPN / артикул: IS61LV12824-10TQLI
IC: память SRAM; 3МбSRAM; 128Кx24бит; 3,3В; 10нс; TQFP100; -40÷85°C
Тип микросхемы: память SRAM · Монтаж: SMD · Корпус: TQFP100 · Тип товара: Памяти SRAM параллельные · Рабочее напряжение: 3,3 В
О модели
Описание
ISSI IS61LV12824-10TQLI. Категория: «Памяти SRAM параллельные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...85°C; Корпус — TQFP100; Рабочее напряжение — 3,3 В.
Тип микросхемы — память SRAM; Вид памяти — SRAM; Структура памяти — 128Кx24бит; Время доступа — 10нс.
Виды интерфейса — параллельный; Память — 3Мб SRAM.
Перед заказом проверьте артикул IS61LV12824-10TQLI, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память SRAM
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TQFP100
- Рабочее напряжение
- 3,3 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IS61LV12824-10TQLI
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
