ISSI · Интегральные микросхемы

ISSI IS61LV12824-10TQLI — Памяти SRAM параллельные

MPN / артикул: IS61LV12824-10TQLI

IC: память SRAM; 3МбSRAM; 128Кx24бит; 3,3В; 10нс; TQFP100; -40÷85°C

Производитель автоматикиISSI
АртикулIS61LV12824-10TQLI
РазделИнтегральные микросхемы
Единицашт

Тип микросхемы: память SRAM · Монтаж: SMD · Корпус: TQFP100 · Тип товара: Памяти SRAM параллельные · Рабочее напряжение: 3,3 В

Фото товара

ISSI IS61LV12824-10TQLI — Памяти SRAM параллельные

1 / 1

Внешний вид может зависеть от исполнения. Перед заказом сверяйте маркировку и артикул.
О модели

Описание

IC: память SRAM; 3МбSRAM; 128Кx24бит; 3,3В; 10нс; TQFP100; -40÷85°C

Перед заказом проверьте артикул IS61LV12824-10TQLI, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры

Технические характеристики

Единица продажи
шт
Артикул производителя
IS61LV12824-10TQLI
Инженерный подбор

Не нашли точную модель?

На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.

Подбор по фотоШильдик и описание Загрузить BOMXLS, XLSX, DOCX, CSV