ISSI
· Интегральные микросхемы
ISSI IS61LF51218A-7.5TQLI — Памяти SRAM параллельные
MPN / артикул: IS61LF51218A-7.5TQLI
IC: SRAM память; 9MbSRAM; 512kx18bit; 3.3V; 7.5ns; TQFP100
Тип микросхемы: память SRAM · Монтаж: SMD · Корпус: TQFP100 · Тип товара: Памяти SRAM параллельные · Рабочее напряжение: 3,3 В
О модели
Описание
ISSI IS61LF51218A-7.5TQLI. Категория: «Памяти SRAM параллельные».
Монтаж — поверхностный (SMD); Рабочая температура — -40...85°C; Корпус — TQFP100; Рабочее напряжение — 3,3 В.
Тип микросхемы — память SRAM; Вид памяти — SRAM; Структура памяти — 512kx18bit; Время доступа — 7,5нс.
Виды интерфейса — параллельный; Память — 9Мб SRAM.
Перед заказом проверьте артикул IS61LF51218A-7.5TQLI, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Тип микросхемы
- память SRAM
- Монтаж
- SMD
- Корпус
- TQFP100
- Рабочее напряжение
- 3,3 В
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- IS61LF51218A-7.5TQLI
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
