Infineon Technologies
· Полупроводники
Infineon Technologies SPP18P06PHXKSA1 — Транзисторы с каналом P THT
MPN / артикул: SPP18P06PHXKSA1
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -18,7А; 81,1Вт; PG-TO220-3
Монтаж: THT · Корпус: PG-TO220-3 · Тип транзистора: P-MOSFET · Тип товара: Транзисторы с каналом P THT
О модели
Описание
Infineon Technologies SPP18P06PHXKSA1. Категория: «Транзисторы с каналом P THT».
Монтаж — в отверстия (THT); Корпус — PG-TO220-3; Напряжение сток-исток — -60В; Ток стока — -18,7А.
Сопротивление в открытом состоянии — 0,13Ом; Тип транзистора — P-MOSFET; Рассеиваемая мощность — 81,1Вт; Полярность — полевой.
Технология — SIPMOS™; Вид канала — обогащенный; Напряжение затвор-исток — ±20В.
Перед заказом проверьте артикул SPP18P06PHXKSA1, исполнение и присоединительные параметры. Менеджер подтвердит комплектацию по запросу.
Параметры
Технические характеристики
- Монтаж
- THT
- Корпус
- PG-TO220-3
- Тип транзистора
- P-MOSFET
- Единица продажи
- шт
- Артикул производителя
- SPP18P06PHXKSA1
Инженерный подбор
Не нашли точную модель?
На отдельной странице можно распознать маркировку по фото или загрузить BOM из Excel, Word и CSV.
